近几年来在半导体材料的研究领域中，纳米氧化锌(ZnO)半导体材料一直是人们研究的热点问题，尤其是它的的应用研究。由于一维ZnO纳米材料在很多方面都有优异的特性，因此激发了人们很大的兴趣并进行不断探索，使得一维ZnO纳米材料的制备有了更新的发展。现如今制备ZnO纳米材料的方法多式多样，工艺比较简单，成本低廉，同时制备的一维取向ZnO纳米阵列经过测试表现出良好的光电性质。目前，对纳/微米尺度的ZnO异质结的研究受到科学家们极大的关注，它的研究为未来新型光电子器件的研发和制备提供实验和理论基础。本论文的主要工作如下：　　 1、采用水热合成法，以氨水为反应溶液，温度设定为95℃，在金属Zn片上制备了一维纳米ZnO纳米阵列，利用物理和化学的方法对并它的形貌和结构进行了测试与研究。在实验过程中我们发现改变反应浓度、反应时间、反应温度等因素控制一维纳米ZnO纳米阵列的直径和长度，同时也探索了它的生长机理，其中包括ZnO成核和ZnO纳米线的生长两个阶段。这种方法与其他方法相比，反应温度较低、方便操作、无需催化剂，而且制备出来的纳米ZnO阵列在场发射、光学器件等方面具有很大的应用价值，有望应用于大规模的生产制备。　　 2、以一维纳米ZnO纳米阵列为衬底，采用电化学沉积和浸镀两种方法制备ZnO—Cu2O纳米复合阵列。利用X射线衍射(XRD)，扫描电子电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行了分析和表征，我们会发现纳米阵列的表面变得比较粗糙，直径从20—60nm增加到约为30—60nm，并且在ZnO纳米线阵列的顶部还覆盖了Cu2O的生长核。我们还利用伏安法对样品的I—V特性进行测试和分析。测试结果表明，随着电压的增加，纳米复合阵列的衍射峰并没有出现明显的变化，晶格结构相对是稳定的。更值得注意的是，ZnO—Cu2O纳米复合阵列表现出较高的灵敏度，使得它在光电器件应用方面具有很大的潜力。