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本文通过固相反应合成法、经二次预烧结(1000℃、8h)合成了CCTO单相粉末，再经高温烧结得到了较高致密度的CCTO陶瓷材料；研究了烧结工艺(烧结温度、保温时间)和CCTO中Cu含量、掺杂MgO或SiC对其结构和介电性能的影响，结果表明：烧结温度的升高、保温时间的延长均会提高试样的致密度及晶粒大小，从而使其介电常数增大、介电损耗降低。烧结温度为1100℃时，1MHz下其介电常数及介电损耗分别为6030、0.317；保温72h的试样，1MHz下介电常数、介电损耗分别为11880、0