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InGaN材料因其具有直接带隙、高吸收系数、抗辐射特性、连续可调的禁带宽度等优秀的光电特性，被认为是最有前景的太阳能电池材料。本文针对InGaN太阳能电池的设计制作问题进行了研究。首先，通过理论计算以及软件模拟，研究了PN结以及PIN结构太阳能电池吸收层中InGaN材料的最佳In组分值，以及部分层结构对电池性能的影响。其次，本文利用MOCVD设备主要探究了量子阱与其生长条件之间的关系，通过研究生长压力的影响，发现当压力从100Torr升高到400Torr时，量子阱中的In组分依次减少，晶体的结晶质量