石墨相氮化碳（g-C₃N₄）作为一种非金属半导体,由C、N两种元素组成,其对可见光响应,并且结构可控,稳定性好,具有良好的光催化性能,因此成为光催化领域的研究热点。将g-C₃N₄与半导体金属氧化物复合,形成异质结结构,可以提高光催化性能。本文通过煅烧法制备了g-C₃N₄,并采用共混煅烧法合成了In₂O₃/g-C₃N₄、CeO₂/g-C₃N₄和WO₃/g-C₃N₄复合材料。利用XRD、FT-IR、SEM、DRS、PT和抗菌实验探讨了材料的结构、形貌、光电性能和光催化抗菌活性,并通过活性物种捕获实验阐述了光催化抗菌机理。内容如下:（1）采用煅烧法制备g-C₃N₄,并通过共混煅烧法合成In₂O₃/g-C₃N₄复合材料。XRD和FT-IR结果表明复合材料被成功制备;SEM图显示In₂O₃均匀分布在g-C₃N₄表面或包覆在g-C₃N₄中;PT结果显示27.2%In₂O₃/g-C₃N₄的光电流强度分别是g-C₃N₄和In₂O₃光电流强度的3倍和12倍;抗菌实验结果表明27.2%In₂O₃/g-C₃N₄的抗菌效果最佳,在LED灯光照60 min时,复合材料对大肠杆菌的抗菌率为99.85%,对金黄色葡萄球菌的抗菌率为99.81%,优于g-C₃N₄和In₂O₃单体;活性物种捕获实验结果显示In₂O₃/g-C₃N₄复合材料体系的主要活性物种是e^-、H₂O₂、h⁺和·O₂^-,该体系光催化抗菌机理遵循Z型机制。（2）采用煅烧法制备g-C₃N₄,热分解法制备CeO₂,并通过共混煅烧法合成CeO₂/g-C₃N₄复合材料。XRD和FT-IR结果表明复合材料被成功制备;SEM图显示CeO₂均匀分布在g-C₃N₄表面或包覆在g-C₃N₄中;PT结果显示19.5%CeO₂/g-C₃N₄的光电流强度分别是g-C₃N₄和CeO₂光电流强度的4倍和5倍;抗菌实验结果表明19.5%CeO₂/g-C₃N₄的抗菌效果最佳,在LED灯光照60 min时,复合材料对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抗菌率均达到100%,优于g-C₃N₄和CeO₂单体;活性物种捕获实验结果显示CeO₂/g-C₃N₄复合材料体系的主要活性物种是e^-、H₂O₂、h⁺和·O₂^-,而·OH作用较小,该体系光催化抗菌机理遵循Z型机制。（3）采用煅烧法制备g-C₃N₄,并通过共混煅烧法合成WO₃/g-C₃N₄复合材料。XRD和FT-IR结果表明复合材料被成功制备;SEM图显示WO₃均匀分布在g-C₃N₄表面或包覆在g-C₃N₄中;PT结果显示15.7%WO₃/g-C₃N₄的光电流强度分别是g-C₃N₄和WO₃光电流强度的4倍和9倍;抗菌实验结果表明15.7%WO₃/g-C₃N₄的抗菌效果最佳,在LED灯光照45 min时,复合材料对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抗菌率均达到100%,优于g-C₃N₄和WO₃单体;活性物种捕获实验结果显示WO₃/g-C₃N₄复合材料体系的主要活性物种是e^-、H₂O₂、·O₂^-和h⁺,而·OH作用较小,该体系光催化抗菌机理遵循Z型机制。（4）比较三种复合材料最佳样对大肠杆菌的抗菌效果可知15.7%WO₃/g-C₃N₄>19.5%CeO₂/g-C₃N₄>27.2%In₂O₃/g-C₃N₄,15.7%WO₃/g-C₃N₄的抗菌效果最佳且在WO₃/g-C₃N₄体系中g-C₃N₄只需复合较少量的半导体金属氧化物即可达到最佳抗菌性能。