Cu2+掺杂镓酸盐MGa2O4(M=Sr,Ba)系列材料的发光设计与性能调控

来源 :合肥工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:maxiao19810628
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在以往的研究中,对长余辉材料的开发主要集中在稀土离子掺杂。但稀土存在分离困难以及提取过程中会污染环境以及价格易波动等缺点,极大地限制了其商业应用。因此,寻找一种高效且不含稀土的新型长余辉发光材料一直是一个重要且急需解决的问题。Cu2+在不同化合物中的发光性质、发光机理以及在化合物中的发射光谱移动规律并不清楚,对设计高效Cu2+掺杂的发光功能材料带来障碍。因此,探索Cu2+在相应系列化合物中的晶格环境、电子结构与其发光波长的关系规律,为研究Cu2+离子激活的发光材料提供新的契机、对理解新型Cu2+离子掺杂功能材料及拓展其应用领域具有极其重要的理论和实践意义。本论文以Cu2+离子为激活剂,镓酸盐为基质,尝试设计具有潜在优异性能的长余辉材料,总结了Cu2+离子在镓酸盐(Sr Ga2O4、Ba Sr Ga4O8、Sr Ga2Ge2O8)中的电子结构、晶格环境与发光性质的内在关系。主要研究内容如下:1.首次制备出一种不含稀土的红色发光材料Sr Ga2O4:Cu2+。结果表明:在347 nm激发下,该材料表现出主峰位于622 nm的红色宽带发射,在撤去激发光源后,余辉可以持续36小时以上。红色荧光和长余辉发射均来源于Cu2+-O2-的电荷迁移跃迁。根据其热释光谱和第一原理计算发现:具有合适的陷阱深度的O空位和Ga-空位,在余辉过程可以从价带俘获并存储激发能量,显著延迟发射过程并产生余辉现象。2.通过组分替换,制备出一种绿色发光材料Ba Sr Ga4O8:Cu2+。我们发现:其跃迁与Sr Ga2O4:Cu2+同样归属于O2-到Cu2+的电荷转移,但在346 nm激发下,该材料表现出450-650 nm的绿色宽带发射,最大波长为525 nm,其余辉衰减时间也仅可持续3小时。从热释光曲线来看,我们发现只有一种类型的陷阱中心,深度为0.84 e V,而在Sr Ga2O4:Cu2+中发现三种类型的俘获中心,陷阱深度为0.87-1.85 e V,从而导致余辉性能的差异。3.为了探索Cu2+发光在镓酸盐中潜在的关系,我们通过Ge取代部分Ga位置,制备出Sr Ga2Ge2O8:Cu2+发光材料。该发光材料最大波长为536 nm,介于Ba Sr Ga4O8:Cu2+和Sr Ga2O4:Cu2+之间。为了更好理解Cu2+发光波长的移动规律,我们从P.Dorenbos的化学位移模型的新角度对其电子结构进行了研究。我们发现镓酸盐中Cu2+的发射波长会随着价带顶位置的上移而相应的红移。另外,相比于Sr Ga2O4:Cu2+和Ba Sr Ga4O8:Cu2+,Sr Ga2Ge2O8:Cu2+余辉衰减时间约为40分钟,这是因为它具有更深的陷阱约为0.99 e V,俘获以及释放电子能力相对较弱。综上所述,我们可以发现:通过调整基质的组分可以改变Cu2+掺杂能级相对于基质价带顶的位置,进而改变Cu2+的发射波长。它的长余辉特性可以通过组分和陷阱深度进行调控。因此,我们的研究结果可能对今后设计高效Cu2+掺杂的发光功能材料提供新思路。
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