热电材料是一种通过内部载流子的运动实现热能和电能互相转换的新型功能材料。本文研究的CuIn₃Se5三元基黄铜矿结构材料,其空间群为/-42d。由于内部存在InCu²⁺+2VCu-阴阳离子缺陷对等特殊结构,对材料输运性能和热导率的调节具有重要意义。本文利用粉末冶金结合放电等离子烧结（SPS）技术制备Te掺杂的CuIn₃Se5-xTex（x = 0,0.05,0.1,0.2,0.5）系列材料。由于Te 元素的电负性（2.1 eV）低于 Se（2.55eV）,更接近于 In（1.78eV）和 Cu（1.9eV）的电负性,因此采用Te替换Se后,阴阳离子dcu-Se和dIn-Se之间的键长增大。由于u和η两参数和材料的晶格热导率kL直接相关,因此键长的变化可以调节晶体结构参数u和η,从而以进一步调控晶格热导率。研究发现:当x=0.1时,阴离子移位参数△w（u-0.25）=0.15×10-3,此时的禁带宽度和载流子浓度达到最大值;同时,晶体结构发生较大的畸变,声子散射最强,晶格热导率最低。热电性能测试结果表明,当△u具有一定的非零值时,CuIn₃Se5-xTex（x=0.1）的热电性能最优。在930K时热电优值为0.4,为本征（930K,ZT=0.15）的 2.6 倍。继续选择Ag等电子替换Cu元素,制备并研究了 Cu1xAgxIn₃Se4.9Te0.1（x=0.05,0.1,0.2,0.3）的热电性能,研究发现当x=0.2 时,Cu1-xAgxIn₃Se4.9Te0.1的热电优值达到最佳。当温度为930 K时,ZT值达到最大值0.46,是本征CuIn₃Se5（ZT=0.15,930K）的 3.1 倍。采用Na、C1同时替换Cu与Se元素,研究其热电性能。研究发现Cu1-xNaxIn₃Se5-xClx（x=0.1）的热电性能最佳。在930K时,ZT值达到最大值0.38,是本征CuIn₃Se5（930 K,ZT=0.15）的2.54倍。