【摘 要】
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该文主要研究GaAs衬底上InAs自组织生长量子点的生长和性质,并且初步研究了半导体微腔的生长.该文的研究内容包括如下几个方面:1.应用导致自组织量子点的产生,影响量子点的特
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该文主要研究GaAs衬底上InAs自组织生长量子点的生长和性质,并且初步研究了半导体微腔的生长.该文的研究内容包括如下几个方面:1.应用导致自组织量子点的产生,影响量子点的特性.该文计算了位于下层的InAs量子点在共覆盖层GaAs上产生的应力状况,由此可以确定上层量子点的生长位置.由此对多层InAs/GaAs的应力状况进行计算,计算结果表明上层量子点的分布均匀性将逐渐变好.2.掺杂是半导体器件制造中的重要过程.该文系统地研究了Ⅲ-Ⅴ族半导体中主要的掺杂剂Si和Be在不同掺杂浓度下对自组织生长量子点的影响.认为掺杂原子在量子点的形成过程中会起到成核中心的作用,帮助周围原子达到稳定的驰豫状态.弱掺杂对量子点的性质有一定的改善作用,但掺杂浓度过高会导致质量的下降.3.为了最终实现利用微腔研究量子点的特点,首先研究了平面微腔的生长工作.该文介绍了其中DBR,InGaAs量子阱,及整个微腔生长时应当注意的问题.
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