Ba TiO₃-K_0.5Bi_0.5TiO₃（简称BT-BKT）基无铅PTC陶瓷是通过对陶瓷进行A位及B位掺杂制备的一种高居里温度的PTC陶瓷。为了获得电性能优良的BTBKT基无铅PTC陶瓷,本论文以BaTiO₃-K_0.5Bi_0.5TiO₃无铅PTC陶瓷为基体,采用固相烧结法,以Nb₂O₅、SnO₂和CuO为掺杂物,制备了BT-BKT基无铅PTC陶瓷,研究了掺杂改性对无铅PTC陶瓷的显微组织、相组成、相结构及电性能的影响。研究结果如下:（1）研究了BKT掺杂量对（1-x）BaTiO_3-xK_0.5Bi_0.5TiO₃（x=0.02,0.04,0.06,0.08mol）（简称（1-x）BT-xBKT）无铅PTC陶瓷的显微组织、相组成及电性能的影响。结果表明:所有（1-x）BT-xBKT陶瓷样品属于单一的ABO₃型钙钛矿结构。随着BKT掺杂量的增加,晶粒得到细化。当x=0.04 mol时,（1-x）BTxBKT陶瓷电性能最佳,室温电阻率（ρRT）=130.3?·cm,升阻比lg（ρmax/ρmin）=3.165;（2）研究了Nb₂O₅掺杂量对(Ba_0.96Bi_0.02K_0.02)TiO_3-xNb₂O₅（x=0.05%,0.1%,0.15%,0.2%mol）（简称BT-BKT-xNb）无铅PTC陶瓷的显微组织、相组成及电性能的影响。结果表明:所有BT-BKT-xNb陶瓷样品均出现单一的钙钛矿结构衍射峰。随着Nb₂O₅掺杂量的增大,晶粒得到细化。由介电温谱可知,掺杂Nb₂O₅陶瓷的居里温度升高到138℃。当x=0.01%mol时,陶瓷室温电阻率（ρRT）=798.84?·cm升阻比lg（ρmax/ρmin）=3.9;（3）研究了SnO₂掺杂量对(Ba_0.96Bi_0.02K_0.02)Ti_0.9985Nb_0.0015O_3-xSnO₂（x=0.01,0.02,0.03,0.04mol）（简称BT-BKT-Nb-xSnO₂）无铅PTC陶瓷的的显微组织、相组成、相结构及电性能的影响。结果表明,(Ba_0.96Bi_0.02K_0.02)Ti_0.9985Nb_0.0015O_3-xSnO₂陶瓷样品均形成单一的ABO₃型钙钛矿结构,固溶极限内,SnO₂的掺杂会促进晶粒长大。由介电温谱可知,掺杂SnO₂后BT-BKT无铅PTC陶瓷的居里温度升高到172℃。当x=0.03时,陶瓷具有最优的PTC性能:室温电阻率（ρRT）=295.16?·cm,升阻比lg（ρmax/ρmin）=4.139;（4）研究了CuO掺杂量的(Ba_0.96Bi_0.02K_0.02)TiO₃Ti_0.9985Nb_0.0015O_3-xCuO（x=0.01,0.02,0.03,0.04 mol）（下文简称BT-BKT-Nb-xCuO）无铅PTC陶瓷的显微组织、相组成、相结构及电性能的影响。结果表明:当x≤0.02时,陶瓷样品均属于单一的ABO₃型钙钛矿结构;当x>0.02时,CuO掺杂量已经超过BT-BKT基体临界固溶度。由样品SEM可知,CuO的掺杂会促进晶粒长大。由介电温谱可知,掺杂CuO后居里温度提高到180℃。当x=0.02时,BT-BKT-Nb-x CuO陶瓷具有最优的PTC性能:室温电阻率（ρRT）=601.31?·cm,升阻比lg（ρmax/ρmin）=3.399。