BF2+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：smilezhangnan

【摘要】

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本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和

【作者】

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张廷庆刘家璐李建军赵元富

【机构】

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西安电子科技大学微电子所;骊山微电子研究所;

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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1998年02期

【关键词】

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多晶硅栅快速退火单晶硅快速热退火

【基金项目】

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国家自然科学基金

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本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着Ｆ的扩散，而且还存在着Ｆ的发射和吸收，据此成功地解释了实验结果．

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