依据多个浓度梯度下Cu²⁺胁迫的玉米盆栽实验,通过采用多种光谱特征参数、红边位置（REP）、红边一阶微分包围面积（FAR）和归一化植被指数（NDVI）等光谱参量;以及另五种植被指数(红边归一化植被指数NDVI₇₀₅,改进红边比值植被指数mSR₇₀₅,改进红边归一化植被指数mNDVI₇₀₅,光化学植被指数PRI和结构不敏感色素指数SIPI);并结合Cu²⁺的光谱吸收机理,同时基于玉米叶片的反射光谱和Cu²⁺含量实验室实测数据,开展了玉米叶片光谱参数及植被指数与铜污染程度预测的相关性分析研究。实验结果表明:本文提到的大部分光谱参数及植被指数与叶片中Cu²⁺含量具有一定的相关性;随着Cu²⁺浓度增加,盆栽玉米在低于200μg/g浓度时仍可正常生长;而在高于浓度为200μg/g后生长受到抑制。玉米受Cu²⁺污染时,在Cu²⁺特征吸收峰810 nm处反射率有下降趋势,与无Cu²⁺污染时反射率上升的趋势相反,说明Cu²⁺光谱吸收机理可以用来区分和预测玉米是否受到Cu²⁺污染。