应变Si1-xGex（100）电子有效质量研究

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dancingkingb

【摘要】

：

基于结合形变势的K-P(Krnig-Penney)理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量(包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量)

【作者】

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赵丽霞宋建军

【机构】

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中电集团13所河北普兴电子科技股份有限公司;西安电子科技大学微电子学院;

【出处】

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电子器件

【发表日期】

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2015年04期

【关键词】

：

应变Si1-xGex 有效质量 K-P(Krnig-Penney)理论

【基金项目】

：

陕西省自然科学基础研究计划项目(2014JQ8329)

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基于结合形变势的K-P(Krnig-Penney)理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量(包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量)进行了系统的研究。结果表明:应变Si1-xGex/(100)Si材料导带能谷电子纵、横向有效质量在应力的作用下没有变化,导带底电子态密度有效质量在Ge组份较小时随着x的增加而显著减小,沿[100]方向的电子电导有效质量随应力明显降低。以上结论可为应变Si1-xGex/(100)Si材料电学特性的研究提供重要理论依据。

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