论文部分内容阅读
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(离子注入、金属化等)以及温度升高时SiC载流子的冻析效应等.
SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题
【摘 要】
：
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
：
微纳电子技术
【发表日期】
：
2004年11期
其他文献
综述了硫化物纳米管的发现、结构和独特的性质,对硫化物纳米管的制备方法进行了详细地说明,包括化学汽相沉积法、模板法、电子辐射法、等离子体法、催化法等,介绍了硫化物纳