一种新的射频CMOS混频器结构

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：snoopyfeile123

【摘要】

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提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构．这个结构避免了堆叠晶体管，因此可以在低电压下工作，在LO信号的频率为1．452GHz，RF信号频率为1．45GHz的情况下，仿真结果表明：混频器

【作者】

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刘璐王志华

【机构】

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清华大学电子工程系,清华大学微电子研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

下变频混频器 CMOS工艺噪声和线性度分析 downconversion mixer CMOS process noise and linearity ana

【基金项目】

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国家自然科学基金(批准号:60475018,60372021),,国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000036508)资助项目~~

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提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构．这个结构避免了堆叠晶体管，因此可以在低电压下工作，在LO信号的频率为1．452GHz，RF信号频率为1．45GHz的情况下，仿真结果表明：混频器的增益为15dB,IIP3为-4.5dBm，NF为17dB，最大瞬态功耗为9．3mW，直流功耗为9．2mW．并对该混频器的噪声特性和线性度进行了分析．

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