场效应管的结构与检测

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场效应管按结构可分为:结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(IGFET);按导电沟道可分为:N型沟道、P型沟道场效应管;按栅极数目可分为:单栅、双栅场效应管。一、结型场效应管1.结型场效应管的结构原理、类型及符号结型场效应管的内部结构如图1所示。在N型半导体两侧是两个高掺杂 According to the structure of the FET can be divided into: junction field effect transistor (JFET), insulated gate FET (IGFET); according to the conductive channel can be divided into: N-channel, P-channel FET; The number can be divided into: single gate, double gate FET. First, the junction field effect transistor 1. Junction field effect transistor structure principle, type and symbol junction field effect tube internal structure shown in Figure 1. On both sides of the N-type semiconductor are two highly doped
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