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本文采用往复区熔法生长了掺杂SbI3的(Bi2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05赝三元n型半导体温差电材料,测定了晶棒轴向温差电性能.所制备的质量为2000g,直径为33mm的n型晶锭,60%左右可利用部分的温差电参数分布为:温差电动势率а=209~206μV/K:电导率σ=935~1030/Ω.cm;热导率K=1.52~1.55W/(m@K);温差电优值Z=2.69~2.84×10-3/K.