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2007年，采用英特尔公司的超密集NOR闪存芯片制造的移动电话可存储的照片数可能是今天的两倍。英特尔将采用65nm技术实现这种超密集芯片。与标准的90nm闪存相比，65nm芯片不必堆叠两个芯片，可在单个存储层上存储1Gb数据。英特尔公司称，今年第四季度交付这种代号为Capulet的闪存样品，并称将至少比竞争对手Spansion和三星电子提前半年。按照这样的交付计划，65nm闪存的推出与90nm StrataFlash蜂窝存储器芯片的推出仅相隔一年。