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利用类似Delta掺杂技术在硅衬底上沉积Mg：Ga2O3薄膜，然后在850℃下对薄膜进行氨化，反应后制备出大量Mg掺杂GaN纳米线．采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外（FTIR）光谱和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对样品进行分析．结果表明，Mg掺杂GaN纳米线具有六方纤锌矿单晶结构，纳米线的直径在30—50nm范围内，长度为几十微米．