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利用射频磁控溅射方法．真空室中充入高纯N2(99．99％)和高纯Ar(99．99％)的混合气体．在n型(100)Si基底上沉积了氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明，BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm^-1和780cm^-1)。在超高真空(<10^-7 Pa)系统中测量了BN薄膜的场发射特性．发现沉积时氮气分压的变化对BN薄膜的场发射特性有很大影响。随着氮气分压的增加．阈值电场逐渐升高．这是由于表面粗糙度的变化造成的。充人10％N2情况下沉积的BN薄膜样品的场发射特性较好．开启电场为