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采用两步低温水热法在Si片衬底上制备形貌规整的ZnO 纳米棒阵列，纳米棒长度约为5μm 。利用扫描电镜（SEM ）、PL光谱测试对ZnO纳米棒的微观表面形貌和光学特性进行表征分析。探究制备过程中两次水热的生长液浓度对ZnO纳米棒形貌的影响，通过表征对比获得最优的生长液浓度范围。实验首先利用提拉退火等工序在衬底上获得ZnO的晶种层，再经过两次水热反应制备出分布均匀、有序生长、取向一致的较为理想的纳米棒阵列。