【摘 要】
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本文介绍了常开GaN功率开关器件是耗尽型GaN HEMT，其击穿电压的提高和栅漏间距、栅极漏侧电场分布以及体穿通、栅极漏电的抑制等因素密切相关。为改善栅极漏侧电场分布，采用双
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文介绍了常开GaN功率开关器件是耗尽型GaN HEMT，其击穿电压的提高和栅漏间距、栅极漏侧电场分布以及体穿通、栅极漏电的抑制等因素密切相关。为改善栅极漏侧电场分布，采用双场板等器件结构。栅、源场板结构和导电衬底的背面场板效应以抑制电流崩塌，改善导通电阻。同时，本文还阐述了在逆变器或DC/DC转换器等功率开关应用中，由于故障安全设计的需要，希望常关型功率开关器件。常关型GaN功率开关器件是增强型GaN HEMT,采用栅极下P型A1(GaN)势垒，挖槽栅结构，氟等离子处理等技术可形成常关型功率开关器件;近期又发展了GaN混合MOS-HFET结构的常关型功率开关器件。 随着GaN功率开关器件的发展，美国DARPA继“宽禁带半导体用于射频电子”和“氮化嫁电子的下一代技术”两个项目之后，于2012年开始了“微尺度功率变换”项目。
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