【摘 要】
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在ＨｇＣｄＴｅ晶体表面上用电化学方法得到了Ｃｄ和Ｔｅ的共沉积．所用的电解质由Ｈ２ＳＯ４；ＣｄＳＯ４和ＴｅＯ２的水溶液所组成．稳态沉积电流密度随着沉积电位更负，电解质温度升高和ＴｅＯ２浓度的增加而增大．Ｘ光衍射分析证实，当沉积电位比
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海技术物理研究所
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在ＨｇＣｄＴｅ晶体表面上用电化学方法得到了Ｃｄ和Ｔｅ的共沉积．所用的电解质由Ｈ２ＳＯ４；ＣｄＳＯ４和ＴｅＯ２的水溶液所组成．稳态沉积电流密度随着沉积电位更负，电解质温度升高和ＴｅＯ２浓度的增加而增大．Ｘ光衍射分析证实，当沉积电位比－０．７０Ｖ（ｖｓＳＣＥ）更负时，沉积膜由ＣｄＴｅ和Ｃｄ所组成．当沉积电位比－０．６７５Ｖ更正时，沉积膜为化学计量的多晶ＣｄＴｅ，其（１１１）面为优先生长的晶面族．沉积膜的显微照相可能表明多层ＣｄＴｅ的扁平晶粒逐步长大连成一体后而完全复盖底晶．俄歇电子谱的深度剖面分析显示在所沉积
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