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运用分子动力学方法模拟研究了沉积原子的不同落点对外延铝薄膜中失配位错的诱发作用。铝原子间相互作用势为嵌入原子法（EAM）多体势。模拟结果显示，在600K下15个原子层厚失配度为-0．06的外延铝膜中，沉积原子入射在FCC位置和HCP位置上比人射在表面原子的正上方上更容易引起失配位错形成，沉积原子入射在表面两个相邻原子连线的中点上则不能形成位错；失配位错的形核方式为挤出一个小倒正四面体构型的原子团，但其挤出方式有二种：当入射在FCC位置和HCP位置时，均为挤出一个底面平行于薄膜表面的倒正四面体构型的原子团；