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铁电聚合物偏氟乙烯三氟乙烯共聚物（P（VDF-TrFE））具有可兼容硅基元件和可溶液加工等优点,在未来可擦写式非易失存储领域极具应用前景.构建多级存储态是提高存储密度和降低生产成本的有力途径.以纳米压印为主要实现手段,通过构建高度有序的纳米图案化导电基底的方式,简单快捷地实现了P（VDF-TrFE）薄膜高密度的多级存储功能.应用压电响应力显微镜（PFM）从微观上观测了图案化导电基底上P（VDF-TrFE）在电压加载后的极化变化情况,直观地证实了其在外电场的作用下形成了三种不同的极化状态.