【摘 要】
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主要半导体生产商最近承认,开发和生产先进IC卡迫切需要晶片级射频测量.在某种程度上,这一直是ITRS建模与仿真技术工作组所倡导的:射频紧凑型模型的参数提取更适合将射频测量
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主要半导体生产商最近承认,开发和生产先进IC卡迫切需要晶片级射频测量.在某种程度上,这一直是ITRS建模与仿真技术工作组所倡导的:射频紧凑型模型的参数提取更适合将射频测量降到最少.如有必要,应该从支持仿真的标准I-V和C-V测量中提取参数.问题是对于极薄的电介质,由于高漏电流和非线性,标准I-V和C-V测量不可能直接提取COX参数,但是对于1～40GHz的高频电路建模和射频紧凑型模型验证来说,准确提取参数就变得很重要了.随着工业发展趋于65nm节点甚至更高,对于高性能低成本数字、射频、模拟混合信号装置来说,这种挑战也与日俱增.
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