连续波激光辐照半导体InSb材料的熔融破坏

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【摘要】

：

采用数值方法,研究了半导体InSb材料受连续波激光辐照的熔融阈值,讨论了InSb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系,同时考虑了载流子效应对靶内温升过

【作者】

：

强希文刘峰张建泉陈雨生黄流兴

【机构】

：

西北核技术研究所,西安,710024

【出处】

：

中国激光

【发表日期】

：

2000年4期

【关键词】

：

激光辐照效应半导体材料熔融破坏阈值载流子效应

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采用数值方法,研究了半导体InSb材料受连续波激光辐照的熔融阈值,讨论了InSb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响,给出了材料内温度与载流子密度的瞬态分布.

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