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采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源以低束流方式将Nd离子注入到外延硅片中,经高温快速退火处理,制备了结晶良好的钕硅掺杂层.用扫描电子显微镜(SEM)、反射式高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)分析了在不同退火条件下样品注入层相结构的变化.研究结果表明,经高温热处理,注入层形成结晶良好的钕硅化合物,出现由Nd5Si4相向NdSi相转变的趋势.并对其转变过程进行了初步探讨.