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基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效率,且精确度极高。基于有效温度近似,并利用所求解到的表面势,建立器件的栅电容模型。该模型可连续、准确地描述a-Si∶H TFT在所有工作区的动态特性。最后,将模型结果与实验数据进行了对比,两者拟合良好。