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提出了一种新型的片上全差分电感结构.电感采用全对称的几何形状,消除了传统差分电感因跳线引起的失配,提高了差分电感的性能.基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,对设计的全差分电感进行流片与测量,结果表明,差分电感两端口之间的失配量比传统差分电感下降了28％.
一种新型片上全差分电感的设计
【摘 要】
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提出了一种新型的片上全差分电感结构.电感采用全对称的几何形状,消除了传统差分电感因跳线引起的失配,提高了差分电感的性能.基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,对设计的全差分
【机 构】
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湖北大学物理与电子科学学院,武汉430062;铁电压电材料与器件湖北省重点实验室,武汉430062;湖北大学物理与电子科学学院,武汉,430062;湖北第二师范学院建筑与材料工程系,武汉,430205
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2016年6期
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