Ba(Mg1/3Ta2/3(1+x)O3陶瓷烧结性,微观结构及微波介电性能

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shyandi123
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本文就BMT陶瓷B位Ta非化学计量比对其烧结性、微观结构及微波介电性能的影响地研究。发现:(1)B位Ta过量可促进BMT的烧结,而Ta缺量则阻碍其烧结。(2)B位离子有序度不仅同缺陷的数量关系,而且还同其缺陷类型有关。B位Ta缺陷的存在阻碍其有序度的提高。(3)BMT样品的Q·f值随Ta过量的增加而降低。相对介电常数则随之增加。
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