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作为一种性能稳定的绝缘体，HfO2在电子、光学以及能量相关的领域中有着重要的应用。在本工作中，我们使用反应溅射方法在不同O2／Ar比例下制备了HfO2薄膜。XRD结果显示，O2／At比例并不能明显的影响样品的结构。通过Debye—Schener公式估计，样品由纳米晶粒组成。在O2／Ar比例为0．06（功率12W）时制备的样品最接近化学配比。在可见光区域，样品具有很好的透光率，T〉85％。明显的吸收发生在波长小于220nm时。通过Tauc公式可以估算出，样品的带隙在5．051到5．547eV范围内变化。