ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制

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【摘要】

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详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用快速退火消除空洞

【作者】

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【机构】

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石家庄铁道学院,石家庄铁道学院,河北工业大学信息功能材料研究所

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2005年4期

【关键词】

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详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷,是一种简单而有效的方法.

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