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在Ni基底上电镀Te薄膜，然后在不同温度下对样品进行相同时间的真空热处理，经室温拉断后测得样品沿晶界断裂深度Ⅳ。通过拟合In（X2／t）与1／T的线性关系求出扩散激活能，得出中低温段Te在纯Ni中的晶界扩散系数，并对实验结果和计算进行了讨论。结果表明，在Ni表面镀Te条件下，随温度的升高，Ni的抗拉强度及延伸率急剧下降，试样断口上的沿晶断裂深度逐渐增大；计算得出Te沿纯Ni晶界扩散的激活能为152kJ／tool，并得出在500℃到1000℃之间的扩散系数表达式为：D=0．83×10-2exp（-