不同退火条件对纳米Ge/Al2O3相嵌薄膜中纳米Ge颗粒的氧化态影响

来源 :天津理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mosalin
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采用脉冲激光沉积法制备了纳米Ge/Al2O3相嵌薄膜,用X射线光电子谱(XPS)研究了薄膜的热稳定性.结果表明纳米Ge颗粒的氧化态与已经发表的结果不同,而与Si的氧化态的结果相似.用纯高斯函数拟合可以得到Ge的四种不同的氧化态,分别为:Ge^+1,Ge^+2,Ge^+3,Ge^+4.这种大的差别来自纳米Ge颗粒的不同环境的影响.在真空退火条件下,由于缺少外部氧的供给和供给速度慢,很奇妙地,在薄膜表层的Ge^+2,Ge^+4氧化态不如其他氧化态和未氧化态(Ge^0)稳定,而在清洁的大气环境退火条件下,外部氧
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