热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shs20000
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡,使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的降低,晶体生长界面趋于平坦,生长界面上方热应力水平也随着热屏材料辐射率的减小而下降,使用内层高辐射率材料、外层低辐射率材料的复合式热屏结构进一步降低了晶体生长界面中心高度。
其他文献
农业机械化的出现,使农村劳动力转移加快,劳动生产率得到提高,促进农民实现增收,是我国乡村振兴战略的重要支撑。在我国乡村振兴战略实施的过程中,农业机械设备生产能力的提
采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究.分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多
本文基于晶体场理论,建立了10×10阶的3d1离子的全组态能级矩阵,由全对角化法(CDM)计算了ZPPH(ZnKPO4.6H2O)∶VO^2+晶体的吸收光谱与顺磁g因子;同时,运用3d1离子在C4v对称下的
本文研究了xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷的极化性能、谐振频率附近的介电性能及谐振频率温度稳定性。结果表明,xPMnS-(1-x)PZN陶瓷中以取向极化为主,具有很好的谐振频率温度稳定性