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该文报道了一种可承受33kV偏置电压的光导开关结构。该结构从两方面提高光导开关的耐压特性：两层厚度为20μm的3c—SiC薄膜采用HFCVD工艺制备在6H—SiC基片表面，用于输出电脉冲传输，可消除了6H—SiC基片的微管缺陷对光导开关耐压特性的影响；电极位于两层薄膜之间，增加了接触面积，因此降低了电极表面的电流密度。