中国光伏产业发展路线图2016年版(下)

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【摘要】

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3.3.9p型硅电池发射极掺杂技术rn目前,掺磷的 p 型硅电池发射极掺杂技术以POCl3 气相扩散的均匀掺杂为主,2016 年其市场份额占比达到 98.2%,未来10年仍将是技术主流.回刻蚀的

【作者】

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中国光伏行业协会中国电子信息产业发展研究院

【出处】

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太阳能

【发表日期】

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2017年4期

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3.3.9p型硅电池发射极掺杂技术rn目前,掺磷的 p 型硅电池发射极掺杂技术以POCl3 气相扩散的均匀掺杂为主,2016 年其市场份额占比达到 98.2%,未来10年仍将是技术主流.回刻蚀的选择性发射极技术和离子注入掺杂的均匀发射极技术未来会占有小部分市场.激光掺杂的选择性发射极技术在 2020 年左右可能会出现应用,随着激光掺杂技术逐渐成熟,该种技术将是一种比较有潜力的技术.图 34 给出了 2016~2025 年掺磷的 p 型电池发射极技术市场占比的变化趋势预测.

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