一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tcjzy
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通过分析国外流行的一种BiCMO S集成施密特触发门,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的BiCMOS施密特触发器 .该器件中单、双极型电路优势互补,电源电压为1.5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出,且其开关速度高于同类CMOS产品的13倍以上,因此特别适用于高速数字通信系统中.
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