【摘 要】
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报道了用常压MOCVD生长的Znse薄膜的光学非线代在77K下用纳秒脉冲激光观测到ZnSe薄膜的增强吸收光双稳特性非线性机理可能是由激子Coulomb相互作用屏蔽引起的
It is reporte
【机 构】
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北京交通大学光电子技术研究所!北京市,100044,中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室
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报道了用常压MOCVD生长的Znse薄膜的光学非线代在77K下用纳秒脉冲激光观测到ZnSe薄膜的增强吸收光双稳特性非线性机理可能是由激子Coulomb相互作用屏蔽引起的
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