【摘 要】
：
为进一步揭示Ga在SiO2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域
【机 构】
：
山东师范大学,山东大学,山东交通学院
论文部分内容阅读
为进一步揭示Ga在SiO2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究.结果表明,恒定源掺杂过程有Ga的低浓度区形成;限定源再分布过程Ga出现反扩散特性;二次氧化过程Ga产生异常分凝特性.上述分布行为的综合效果,导致近硅表面Ga的浓度处于耗尽状态.对Ga的表面耗尽,可通过适当的工艺方法给予补偿,因此Ga基区晶体管的电学性能仍然优于同类产品.
其他文献
采用浸渍法制备了Ce／纳米TiO2复合粉体，用XRD对复合粉体的晶体结构进行了表征。以紫外光照下降解甲基橙为目标，研究了Ce掺杂量和焙烧温度对Ce／纳米TiO2复合粉体的光催化能力的影
为了解释锆合金在LiOH水溶液中耐腐蚀性能降低的原因,将3组粉状Zr-4合金样品分别放在500℃空气中、500℃过热蒸汽中和350℃的0.1 mol/LLiOH水溶液中进行腐蚀,当氧化膜厚度约
综述了包晶合金定向凝固中包晶相的形核与生长机制,讨论了利用最高界面生长温度假设以及成分过冷和充分形核判据下包晶合金的微观组织与相选择规律,对包晶相的3种生长机制进
采用固相反应法制备了富钛BaTi4＋xO9＋2x（x=0．0-0．50）微波介质陶瓷，探讨了TiO2含量以及烧结温度对物相组成和介电性能的影响。在1300～1350℃烧结BaTi4＋xO9＋2x陶瓷即可达到约98％的相对密度
研究了稀土氧化物La2O3,CeO2,Nd2O3和Y2O3对AB5型贮氢电极电化学性能的影响.研究表明,除Y2O3外,其余的稀土氧化物可提高贮氢电极的1C放电容量和放电电压,延长贮氢电极的循环
<正>Based on piezoelectric ultrasound technology,the paper theoretically analyses the determination of gas concentration and presents a norm-contrast method,whi
<正>In this paper the hydrogen and hydrocarbon gas sensing performance of the Pt/Catalysed TiO_2/SiC devices have been studied.The TiO_2 metal oxide thin films
通过正交实验法，选用Bi2O3和Pb3O4为添加剂，采用电子陶瓷的生产工艺，对BaO-Nd2O3-TiO2（简称BND系统进行了改性研究，研究结果表明：BaO：Nd2O3：TiO2的摩尔比为1：1：4，添加物Bi2O3和Pb3O4的加
研究了不同的基体组织对ZAlSi12Cu2Mg1合金微弧氧化陶瓷层厚度、硬度、截面形貌及相结构的影响规律。结果表明，ZAlSi12Cu2Mg1经过T6工艺热处理后，铸态组织中块状的初晶硅和粗大
用料浆熔烧法在铌基体表面制备了MoSi2高温抗氧化涂层.利用SEM,EDS,XRD等仪器分析研究了涂层的结构、元素分布、相分布与抗氧化性能的关系.结果表明:涂层与基体之间达到了冶