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采用中频交流磁控溅射方法，在Mo层上沉积了CuInGa（CIG）预制膜。分别以N2和Ar为载气，采用硒蒸汽硒化法制备了Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）吸收层薄膜，考察了N2和Al流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分，采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明，采用心和N2为载气时，在各个流量下所制备的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构，薄膜具有（112）面的择优取向。采用心为载气时，当时流量为0．10m^3／h时，所获得的CIGS薄膜的孔隙最少，随着Ar