2～4 GHz连续波120 W GaN内匹配功率器件

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gksd2009

【摘要】

：

基于自主研制的0.25 μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50 Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件.测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0V栅极工作电压下,2～4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46％,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,

【作者】

：

张一尘吴景峰银军斛彦生

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2021年12期

【关键词】

：

内匹配器件功率放大 S波段 GaN 宽带

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