含B闪锌矿三元系半导体BxIn1-xP和BxGa1—xP带隙理论预测

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【摘要】

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利用第一性原理计算方法，用广义梯度近似（GGA）处理电子之间的交换关联能，计算了BxIn1-xP，BxGa1-xP的带隙结构。BxIn1-xP的带隙弯曲参数b_Eg（F）=4.32eV，b_Eg（x）=1.8eV，它从直接带隙转变为

【作者】

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熊德平任晓敏王琦舒伟周静吕吉贺黄辉黄永清

【机构】

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北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京邮电大学继续教育学院

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2007年6期

【关键词】

：

含B化合物带隙弯曲参数带隙广义梯度近似 boride alloy bowing parameter band-gap GGA

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利用第一性原理计算方法，用广义梯度近似（GGA）处理电子之间的交换关联能，计算了BxIn1-xP，BxGa1-xP的带隙结构。BxIn1-xP的带隙弯曲参数b_Eg（F）=4.32eV，b_Eg（x）=1.8eV，它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47；在小量B的掺入下，可使BxIn1-xP的带隙变小，在X=0.15时带隙达到最小值1.33eV.BxGa1-xP的带隙弯曲参数b_Eg（F）=1.37eV，b_Eg（X）=2.46eV，在整个组分内是间接带隙，BxIn1-xP，BxGa1-xP有较大

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