【摘 要】
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用射频溅射设备，采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼（c-BN）薄膜．研究了在其他条件不变的情况下，成核阶段衬底温度对制备c-BN薄膜的影响．c-BN薄膜沉积在p型Si（100）衬底上，薄膜成分由傅里
【机 构】
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北京工业大学应用数理学院,北京工业大学材料学院,兰州大学物理学院
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用射频溅射设备，采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼（c-BN）薄膜．研究了在其他条件不变的情况下，成核阶段衬底温度对制备c-BN薄膜的影响．c-BN薄膜沉积在p型Si（100）衬底上，薄膜成分由傅里叶变换红外吸收谱标识．研究发现：衬底温度是立方BN薄膜成核的一个重要参数；要得到一定立方相体积分数的薄膜，成核阶段衬底温度有一个阈值，成核阶段衬底温度低于400℃，薄膜中没有立方相的存在；衬底温度为400℃时，薄膜中开始形成立方相；衬底温度达到500℃时，得到了立方相体积分数接近100％的薄膜，并且薄膜中立方相体
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