CeO2掺杂引起SnO2压敏电阻的晶粒尺寸效应

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研究了掺CeO2对SnO2·Co2O3·Ta2O5压敏电阻器性能的影响.研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 μm减小到6.23 μm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长.为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2·Co2O3·Ta2O5·CeO2晶界缺陷势垒模型.同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等
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