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以各部分管道检漏达到低于1×10^-10（Pa·m^3）／s的SiC CVD为考察对象，通过分析SiC热壁式CVD设备中影响背景掺杂浓度的杂质来源和与之对应的硬件因素，对比在不同的真空条件下得到的外延层背景掺杂浓度变化趋势，并得到最低4×10^13cm^-3。的极低背景掺杂浓度。证明反应腔中的石墨，尤其是多孔石墨中吸附的大量氮气提供了作为背景掺杂的氮元素。定性得到系统整体漏率对背景掺杂无显著影响的结果。