【摘 要】
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讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性（带阶）的影响.给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系.分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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讨论了不同In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带结构,即带隙及带边不连续性（带阶）的影响.给出了较为精准的InGaAsSb禁带宽度与In组分的关系.分析了In组分对InGaAsSb/GaSb导带、价带带阶的作用.研究表明,随In组分的增加,InGaAsSb禁带宽度减小,应力加大,能带漂移增大,InGaAsSb/GaSb导带、价带的带阶减小.同时,利用上述研究结果合理地解释了InGaAsSb/GaSb自发发射谱的增益、发射峰位及半峰宽与In组分关系.研究In组分对InGaAsSb/GaSb量子阱能带
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