【摘 要】
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研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系.以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8 Ω·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1 200℃)下掺杂锰后,在
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所
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研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系.以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8 Ω·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1 200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY-5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ.改变扩散源的浓度重复实验,用XRD对扩散后的样品进行分析,结果表明:当硅片表面浓度为23.4×10-8 mol/cm2时,扩散后样品体电阻率的径向不均匀度在5%以内,扩散后硅片的补偿度最大.
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