900nm高功率半导体激光器线阵列

来源 :激光与光电子学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaogege0451

【摘要】

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利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉

【作者】

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辛国锋冯荣珠陈国鹰花吉珍

【机构】

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河北工业大学信息学院微电子所,中国电子科技集团公司第十三研究所

【出处】

：

激光与光电子学进展

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

金属有机化合物气相淀积(MOCVD) 半导体激光器阵列分别限制结构单量子阱

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利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A.

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