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本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应，在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺，已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。
反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究
【摘 要】
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本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应，在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺，已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。
【机 构】
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陕西微电子学研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1992年6期
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