X波段交直流分离的MEMS开关的设计与研究

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：civili1844

【摘要】

：

介绍了一种带直流驱动电极交直流分离的MEMS开关,研究了影响开关阈值电压的因素,运用缩腰设计、尺寸优化等方法降低开关的阈值电压;运用阻抗匹配方法降低开关的反射损耗;利用

【作者】

：

蔡洁廖小平朱健

【机构】

：

东南大学MEMS教育部重点实验室,东南大学MEMS教育部重点实验室

【出处】

：

微纳电子技术

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

微机电系统阈值电压插入损耗反射损耗隔离度 MEMS pull-in voltage insertion loss return loss isolat

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介绍了一种带直流驱动电极交直流分离的MEMS开关,研究了影响开关阈值电压的因素,运用缩腰设计、尺寸优化等方法降低开关的阈值电压;运用阻抗匹配方法降低开关的反射损耗;利用等效电感的设计提高所需频段的隔离度.使用Coventor和HFSS软件模拟,设计的开关阈值电压小于20 V,在X波段插入损耗低于0.1dB,反射损耗低于-25dB,谐振点处隔离度高于40dB.

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